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Typical Characteristics
10
800
I D = -2.5A
V DS = -20V
-30V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
-40V
600
6
400
4
C OSS
200
2
C RSS
0
0
0
3
6
9
12
0
15
30
45
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
10
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
100 μ s
40
30
R θ JA = 110°C/W
T A = 25°C
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 110 o C/W
1s
10s
DC
20
10
T A = 25 o C
0.01
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 110 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDT2955 Rev. C
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